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IPP80R1K4P7XKSA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPP80R1K4P7XKSA1 product

IPP80R1K4P7XKSA1

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS800VLeistungstransistor

Der IPP80R1K4P7 ist ein 800V N-Kanal CoolMOS P7 Leistungstransistor im TO-220 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Flyback-Netzteile.

Ideal für

  • Flyback-Wandler
  • Netzteile für Unterhaltungselektronik
  • Industrielle Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 4A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC) für Kühlkörperanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
800 V
Id
4 A
Rds(on)
1.4 Ω
Qg
10 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

Infineon-company-51.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPP80R1K4P7XKSA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 800V Superjunction-Leistungs-MOSFET aus der CoolMOS P7-Serie, der für eine hocheffiziente Energieumwandlung entwickelt wurde.