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IPT007N06N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPT007N06N product

IPT007N06N

MOSFETs - Single

N-Kanal60VLeistungs-MOSFETOptiMOS

Der IPT007N06N ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal OptiMOS™-Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hohen Strömen und geringen Leitungsverlusten optimiert ist.

Ideal für

  • Hochstrom-Netzteile
  • Motorsteuerung
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringem Platzbedarf, bei denen kleinere Gehäuseformen erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass das PCB-Layout für die hohen Stromdichten und die Wärmeabfuhr des HSOF-8-1 Gehäuses ausgelegt ist.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
300 A
RDS(on)
0,75 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

e7580572d64371e17766539455cce238.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPT007N06N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlung mit einer Spannungsfestigkeit von 60V und 300A Strombelastbarkeit ausgelegt ist.