IPT012N08N5 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Infineon | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IPT012N08N5 product

Der IPT012N08N5 ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Synchrone Gleichrichtung
Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringer Leistung und begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 80 V
ID: 300 A
RDS(on): 1,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

pYYBAGMksKGAIjW5ABMX6l6XyMQ905.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPT012N08N5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.