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IPT015N10N5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPT015N10N5 product

IPT015N10N5

MOSFETs - Single

Leistungs-MOSFET100VOptiMOS 5Infineon

Der IPT015N10N5 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für hocheffiziente Stromwandlung und schnelles Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hocheffiziente Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Batteriebetriebene tragbare Elektronik, bei der kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
300 A
RDS(on)
1,5 mΩ
Qg
169 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

b8709c30d45c55d20707f5c5619559b5.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPT015N10N5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 5 N-Kanal-Leistungstransistor, der für 100V und 300A ausgelegt ist und für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.