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IPT020N10N5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPT020N10N5 product

IPT020N10N5

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungstransistor

Der IPT020N10N5 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für industrielle Hochfrequenzschaltanwendungen und synchrone Gleichrichtung optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Stromwandlung
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen kleinere Gehäuse erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
100 V
Id
260 A
Rds(on)
2,0 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

8a86b9d49a52bb1bea861885bdcf145f_2005292218_Infineon-Technologies-IPT020N10N5_C531202.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPT020N10N5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen OptiMOS 5 Leistungstransistor mit 100V und 260A, der in einem PG-HSOF-8 Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.