ProjektePreiseInsights

IPT60R022S7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPT60R022S7 product

IPT60R022S7

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS600VLeistungsbauelement

Der IPT60R022S7 ist ein leistungsstarker 600V CoolMOS S7 SJ-MOSFET, der für statische Schaltanwendungen und hohe Ströme optimiert ist.

Ideal für

  • Halbleiterrelais
  • Leistungsschalter
  • Netzgleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Platzierung des Gate-Widerstands am Driver Source Pin

Wichtige Specs

VDS
600 V
RDS(on)
22 mΩ
ID
23 A
Gehäuse
PG-HSOF-8

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

c7de01943d7a42b08b9592e4c2857133_2005292218_Infineon-Technologies-IPT60R022S7_C531208.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPT60R022S7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V N-Kanal Superjunction (SJ) MOSFET von Infineon, der speziell für statische Schaltvorgänge und Hochstromanwendungen entwickelt wurde.