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IPW60R099P6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPW60R099P6 product

IPW60R099P6

MOSFETs - Single

MOSFETCoolMOS600VLeistungstransistor

Der IPW60R099P6 ist ein leistungsstarker 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET für hocheffiziente Stromversorgungen.

Ideal für

  • Server-Netzteile
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Industrielle Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-Batterieanwendungen
  • Designs mit extrem begrenztem Platz

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Design
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
600 V
RDS(on)
99 mOhm
ID
37,9 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

poYBAGLoaMaARIBrACN3PVhP5M4582.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPW60R099P6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 600V CoolMOS P6 Leistungstransistor mit Superjunction-Technologie, optimiert für hocheffiziente Netzteile.