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IPW60R099P7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IPW60R099P7 product

IPW60R099P7

Specialized ICs

MOSFETCoolMOSLeistungstransistor

Der IPW60R099P7 ist ein hocheffizienter 600V N-Kanal-Superjunction-MOSFET aus der P7-Serie von Infineon, der für industrielle Leistungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hocheffiziente Netzteile
  • PFC- und LLC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) oder andere Gehäusetypen erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
99 mΩ
ID
31 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

7ee0ad332db3d7b40a0b3617989e3cc8_2005292235_Infineon-Technologies-IPW60R099P7_C537464.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IPW60R099P7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V CoolMOS P7 Leistungs-MOSFET, der Superjunction-Technologie nutzt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu erzielen.