ProjektePreiseInsights

IQE046N08LM5ATMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IQE046N08LM5ATMA1 product

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFETs - Single

MOSFETOptiMOS 580VN-Kanal

Der IQE046N08LM5 ist ein 80V N-Kanal OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im PG-TSON-8 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Schaltnetzteile und synchrone Gleichrichtung.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • Hochleistungs-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchsteckmontage erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vds
80 V
Id
99 A
Rds(on)
4,6 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

cbe9356635ed220da454c23fd239e0b3_Infineon-IQE046N08LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IQE046N08LM5ATMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 80V N-Kanal Leistungs-MOSFET aus Infineons OptiMOS 5 Familie, der für industrielle Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.