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IRF100S201-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF100S201-HXY product

IRF100S201-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der IRF100S201 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal SGT-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Hochstrom-Energieverwaltung und Motorsteuerung optimiert ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Synchrongleichrichtung
  • Isolierte DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als TO-263 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
260 A
RDS(on)
4,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungNetzteile

Datenblatt

0236195b217c5bc8ca99f66151ca242c_2403261740_HXY-MOSFET-IRF100S201-HXY_C22367077.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF100S201-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal SGT (Shielded Gate Trench) Enhancement-Mode MOSFET, der für hocheffizientes Schalten in Leistungsanwendungen entwickelt wurde.