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IRF1310NPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF1310NPBF product

IRF1310NPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-220

Der IRF1310NPBF ist ein 100V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Industrielle Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
42 A
Rds(on)
0,036 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

FRCPS00342-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF1310NPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein HEXFET-Leistungs-MOSFET der 5. Generation von Infineon, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten auszeichnet.