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IRF3205S-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF3205S-JSM product

IRF3205S-JSM

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETLeistungTO-263

Der IRF3205S ist ein leistungsstarker N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und Netzteile optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Hochstrom-Motorsteuerung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung (Qg) für das Schalten mit ultrahoher Frequenz erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen ein kleineres Gehäuse als D2PAK erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Leistungsfähigkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
55 V
Dauer-Drainstrom
110 A
Einschaltwiderstand
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorsteuerung

Datenblatt

cf9fa2ccf5c66661165ae25d5cf47c65_2211151800_JSMSEMI-IRF3205S_C2874633.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF3205S-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRF3205S ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor für Hochgeschwindigkeits- und Hochstrom-Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 55 V und einem Dauerstrom von 110 A.