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IRF5210PBF-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF5210PBF-JSM product

IRF5210PBF-JSM

MOSFETs

P-KanalMOSFET100VTO-220

Der IRF5210PBF-JSM ist ein -100V P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen in industriellen Stromversorgungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
-100 V
Id
-40 A
Rds(on)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungMotorsteuerung

Datenblatt

b66239049122ef09277266f44f895551_2405141616_JSMSEMI-IRF5210PBF-JSM_C18188863.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF5210PBF-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -100V und einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von 40A, untergebracht in einem TO-220-Gehäuse.