IRF530NS-JSM Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | JSMSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IRF530NS-JSM product

Der IRF530NS ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im TO-263-Gehäuse, optimiert für Leistungsschaltanwendungen wie SMPS und USV.

Ideal für

SMPS
USV
PFC

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladung oder einen extrem niedrigen Rds(on) erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und PCB-Layout für hohe Strombelastbarkeit.

Wichtige Specs

Vdss: 100 V
Id: 33 A
Rds(on): 38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

NetzteilUSV

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF530NS-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für schnelles Schalten und robuste Leistung in Stromwandlerschaltungen entwickelt wurde.