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IRF5801TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF5801TRPBF product

IRF5801TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200V

Der IRF5801PbF ist ein 200V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET für DC-DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz im kompakten TSOP-6-Gehäuse.

Ideal für

  • Hochfrequenz DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerstrom > 0,6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
0,6 A
RDS(on)
2,2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

DC-DC-Wandler

Datenblatt

DSA-282896.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF5801TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 200V N-Kanal Leistungs-MOSFET, optimiert für hochfrequente Schaltanwendungen.