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IRF630-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF630-HXY product

IRF630-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der IRF630-HXY ist ein 200V, 9A N-Kanal-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(ON) oder SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
9 A
RDS(ON)
260 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

a5ad7c3b2a9f7b414e798034639df9e6_2406071737_HXY-MOSFET-IRF630-HXY_C19267788.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF630-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für Leistungsmanagementanwendungen optimiert ist.