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IRF630NPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF630NPBF product

IRF630NPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VTO-220

Der IRF630NPBF ist ein 200V, 9,3A N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Netzteile
  • Motorsteuerung
  • Allgemeines Schalten

Vermeiden, wenn

  • Anforderungen an SMD-Montage (verwenden Sie stattdessen die D2Pak-Version)

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung und Kühlkörperanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
9,3 A
Rds(on)
0,30 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustriesteuerung

Datenblatt

GESOS01721-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF630NPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation von Infineon, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten ausgelegt ist.