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IRF640NPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF640NPBF-HXY product

IRF640NPBF-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VTO-220

Der IRF640NPBF ist ein 200V, 18A N-Kanal-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigem RDS(on) unter 100mΩ

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
18 A
RDS(on)
145 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

c16b18ed080ac4de8f8230019dd4a254_2312041214_HXY-MOSFET-IRF640NPBF-HXY_C19267789.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF640NPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, spezifiziert für 200V und 18A.