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IRF640NPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF640NPBF product

IRF640NPBF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET200VLeistungTO-220

Der IRF640NPBF ist ein leistungsstarker 200V N-Kanal HEXFET-MOSFET, der sich ideal für Schaltnetzteile und industrielle Anwendungen eignet, die hohe Effizienz und thermische Stabilität erfordern.

Ideal für

  • Industrielle Netzteile
  • Motorsteuerungsschaltungen
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedriger Spannung (z.B. <10V), bei denen MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) effizienter sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Managementstrategie
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
18 A
Rds(on)
0.15 Ω
Pd
150 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

DSA-205900.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF640NPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 200V N-Kanal Power-MOSFET von Infineon aus der 5. Generation der HEXFET-Familie, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.