Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die HEXFET-Technologie von Infineon mit DirectFET-Gehäusen kombiniert und für geringe Leitungs- und Schaltverluste in CPU-Kern-DC-DC-Wandlern optimiert ist.
IRF6717MTRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vdss
- 25 V
- Id (Ta=25°C)
- 38 A
- Rds(on) @ 10V
- 0,95 mOhm
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Energieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IRF6717MTRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
