ProjektePreiseInsights

IRF7341TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF7341TRPBF product

IRF7341TRPBF

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal55VSO-8

Der IRF7341PbF ist ein dualer N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, der eine Durchbruchspannung von 55V und einen Strom von 4,7A bietet.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Kupferfläche

Wichtige Specs

VDS
55 V
ID
4,7 A
RDS(on)
0,050 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

DSA-282917.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF7341TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die Generation-V-HEXFET-Technologie nutzt und für hocheffizientes Schalten in kompakten SMD-Anwendungen entwickelt wurde.