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IRF7343TRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF7343TRPBF-HXY product

IRF7343TRPBF-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der IRF7343TRPBF ist ein dualer N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 60V oder 6A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
60V / -60V
ID
6A / -5A
RDS(on)
48mΩ / 85mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

b2f4d94806ff108ce6f93c6b6f8261a6_2401231633_HXY-MOSFET-IRF7343TRPBF-HXY_C20606238.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF7343TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N- und P-Kanal-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt und in einem SOP-8-Gehäuse geliefert wird.