ProjektePreiseInsights

IRF740-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF740-HXY product

IRF740-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistungTO-220

Der IRF740 ist ein 420V, 11A N-Kanal-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Spannungen oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
420 V
ID
11 A
RDS(on)
0,5 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

542a8212d83288bee93e83b00b2653cf_2312221750_HXY-MOSFET-IRF740-HXY_C19723846.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF740-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRF740 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.