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IRF7493TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF7493TRPBF product

IRF7493TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal80VSO-8

Der IRF7493PbF ist ein 80V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, der für hochfrequente DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequente DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit deutlich höheren Strom- oder Spannungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastbarkeit des SO-8-Gehäuses

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
9,3 A
RDS(on)
15 mΩ
Qg
35 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

DC-DC-Wandler

Datenblatt

DSANUWW0025954.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF7493TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 80V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für effiziente DC-DC-Wandler entwickelt wurde.