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IRF7905TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF7905TRPBF product

IRF7905TRPBF

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal30VSO-8POL

Der IRF7905PbF ist ein dualer N-Kanal 30V HEXFET-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente POL-Wandleranwendungen.

Ideal für

  • POL-Wandler
  • Notebook-Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID (Q2)
8,9 A
RDS(on) (Q2)
17,1 mΩ
Gehäuse
SO-8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF7905TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 30V Drain-Source-Durchbruchspannung und niedrigem RDS(on), der speziell für Point-of-Load (POL) Stromwandler entwickelt wurde.