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IRF8707PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF8707PBF-HXY product

IRF8707PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der IRF8707PBF ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Anwendungen wie Batterieschutz und Lastmanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
15 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

751f207ecb31c47fa1b669e1af0d1e59_2404231719_HXY-MOSFET-IRF8707PBF-HXY_C22366792.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF8707PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.