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IRF9389PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF9389PBF-HXY product

IRF9389PBF-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der IRF9389PBF ist ein dualer N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Kompaktes Leistungsschalten

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 7A/8,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhrbedarf

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
7A / -8,5A
RDS(on)
25mΩ / 35mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

bf7a3006e6bdd10293ecd2f1fe29275d_2404231036_HXY-MOSFET-IRF9389PBF-HXY_C22366931.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF9389PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal- und P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in einem SOP-8-Gehäuse, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.