ProjektePreiseInsights

IRF9393PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF9393PBF-HXY product

IRF9393PBF-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOP-830V

Der IRF9393PBF ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen Dauerstrom von mehr als 11 A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-11 A
RDS(on)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungBatterieschutz

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF9393PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.