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IRF9952TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF9952TRPBF product

IRF9952TRPBF

MOSFETs - Arrays

MOSFETDualN-KanalP-KanalSO-8

Der IRF9952TRPBF ist ein dualer N-Kanal- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET im SO-8-Gehäuse, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
30V / -30V
Id
3,5A / -2,3A
Rds(on)
0,10Ω / 0,25Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

WEIDD002-6-8.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF9952TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales MOSFET-Array mit einem N-Kanal- und einem P-Kanal-HEXFET, das für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten optimiert ist.