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IRF9956PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRF9956PBF-HXY product

IRF9956PBF-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der IRF9956PBF ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 2W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
6 A
RDS(on)
30 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

f9bc235630f29b56de40c496877ebab0_2404231036_HXY-MOSFET-IRF9956PBF-HXY_C22366595.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF9956PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.