IRF9956TRPBF-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IRF9956TRPBF-HXY product

Der IRF9956TRPBF ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

Batteriemanagementsysteme
Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Hochspannungsanwendungen über 30V
Hochleistungsdesigns mit mehr als 1,5W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 30 V
ID: 8,5 A
RDS(on): 18 mΩ
Gehäuse: SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRF9956TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und in einem SOP-8-Gehäuse untergebracht ist.