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IRFB4110 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFB4110 product

IRFB4110

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der IRFB4110 ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und USV-Systeme optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • USV-Systeme
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
180 A
RDS(ON)
6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

a3a318ce4ff91aa1ba4faa5ec41b6b62_2403260923_Minos-IRFB4110_C19189954.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFB4110 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRFB4110 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Minos, der fortschrittliche Trench-Technologie für einen niedrigen RDS(ON) und hohe Strombelastbarkeit (180A) nutzt.