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IRFB4110PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFB4110PBF product

IRFB4110PBF

MOSFETs - Single

MOSFET100VN-KanalLeistung

Der IRFB4110PBF ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal HEXFET-MOSFET, der sich hervorragend für hocheffiziente Stromwandlung und Schaltanwendungen eignet.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • USV
  • Schnelles Schalten

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische SMD-Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Treiber-Leistung

Wichtige Specs

Vds
100 V
Id
180 A
RDS(on)
3,7 mΩ
Qg
150 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Yes
MSL
N/A
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrieelektronik

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFB4110PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für effizientes Schalten und Gleichrichten entwickelt wurde.