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IRFB4227PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFB4227PBF product

IRFB4227PBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VTO-220AB

Der IRFB4227PBF ist ein 200V, 65A N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, der speziell für hocheffiziente PDP-Sustain-, Energierückgewinnungs- und Class-D-Audioanwendungen optimiert wurde.

Ideal für

  • PDP-Sustain-Schaltungen
  • Energierückgewinnungsanwendungen
  • Class-D-Audioverstärker (300W-500W)

Vermeiden, wenn

  • Oberflächenmontage erforderlich ist
  • Niederspannungs-Logikpegel-Gate-Ansteuerung ohne Treiber benötigt wird

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
65 A
Rds(on)
19,7 mOhm (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFB4227PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für Hochleistungsschaltanwendungen wie Plasma-Display-Panel-Treiber (PDP) und Class-D-Audioverstärker entwickelt wurde.