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IRFB4229PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFB4229PBF product

IRFB4229PBF

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET300VLeistung

Der IRFB4229PbF ist ein leistungsstarker 300V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für schnelle Schaltanwendungen wie PDP-Sustain-Schaltungen und Class-D-Audioverstärker optimiert ist.

Ideal für

  • PDP-Sustain-Schaltungen
  • Class-D-Audioverstärker
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anforderungen an Oberflächenmontage

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei hohen Strömen

Wichtige Specs

Vdss
300 V
Id
46 A
Rds(on)
38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFB4229PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für hocheffizientes Schalten in PDP-Sustain-, Energierückgewinnungs- und Class-D-Audioverstärkerschaltungen entwickelt wurde.