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IRFB4620PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFB4620PBF product

IRFB4620PBF

MOSFETs - Single

N-Kanal200VTO-220AB

Der IRFB4620PbF ist ein 200V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • SMPS
  • USV
  • Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id (25°C)
25 A
Rds(on) (max)
72.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFB4620PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für schnelles Schalten und synchrone Gleichrichtung entwickelt wurde.