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IRFBG30PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFBG30PBF product

IRFBG30PBF

MOSFETs - Single

1000V MOSFETN-KanalTO-220

Der IRFBG30PBF ist ein 1000V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay, der für Hochspannungsschaltanwendungen in Industrie- und Gewerbegeräten optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • Industrielle Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs-batteriebetriebene Schaltungen
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
1000 V
ID
3,1 A
RDS(on)
5,0 Ohm
Gehäuse
TO-220

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileIndustrielle Steuerung

Datenblatt

a36fe0aff3eb904106d02ed30b595696_1809192212_Vishay-Intertech-IRFBG30PBF_C2637.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFBG30PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET der dritten Generation mit einer Nennspannung von 1000V und 3,1A, untergebracht in einem Standard-TO-220-Gehäuse.