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IRFH3702PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH3702PBF-HXY product

IRFH3702PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der IRFH3702PBF ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V VDS

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
35 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

a8b28f4aae14d4e6f1342bc947c71572_2404231036_HXY-MOSFET-IRFH3702PBF-HXY_C22366741.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH3702PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.