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IRFH5302PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH5302PBF-HXY product

IRFH5302PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V150A

Der IRFH5302PBF ist ein 30V, 150A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Gate-Ansteuerspannung unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(on)
2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

14d9657414a1167c281a712b8c505e17_HXY MOSFET(华轩阳电子)&IRFH5302PBF-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH5302PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und für niedrigen RDS(on) sowie geringe Gate-Ladung optimiert ist.