ProjektePreiseInsights

IRFH5302TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH5302TRPBF product

IRFH5302TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der IRFH5302TRPBF ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für Anwendungen mit hohen Strömen in einem kompakten PQFN 5x6 mm Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Abwärtswandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchbruchspannung von >30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(on)
2,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH5302TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für geringe Leitungsverluste mit einem RDS(on) von 2,1mΩ optimiert ist.