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IRFH7914TRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH7914TRPBF-HXY product

IRFH7914TRPBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V70A

Der IRFH7914TRPBF ist ein 30V, 70A N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, der für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten in Batterie- und Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout für hohe Ströme

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
70 A
RDS(ON)
< 7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungBatterieschutz

Datenblatt

3f259e02d60a721626a86a4a1e6c5799_2401231634_HXY-MOSFET-IRFH7914TRPBF-HXY_C20606224.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH7914TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauerstrom von 70A.