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IRFH8318PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH8318PBF-HXY product

IRFH8318PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V150A

Der IRFH8318PBF ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazitäten des Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(on)
< 2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3a7597ab5e3881dbd5e0f23fc46ac5a9_2401231634_HXY-MOSFET-IRFH8318PBF-HXY_C20606253.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH8318PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET in Enhancement-Mode-Technologie, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.