ProjektePreiseInsights

IRFH8318TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH8318TRPBF product

IRFH8318TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VEnergieverwaltung

Der IRFH8318TRPBF ist ein 30V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für synchrone Abwärtswandler mit hoher Frequenz optimiert ist und sich durch einen niedrigen RDS(on) sowie eine hohe Leistungsdichte im kompakten PQFN 5x6mm-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler mit hoher Frequenz
  • Energieverwaltungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V
  • Designs, bei denen Platzbeschränkungen den Einsatz von PQFN 5x6mm-Gehäusen verhindern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
50 A
RDS(on)
3,1 mΩ
Qg
19 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energieumwandlung

Datenblatt

International-Rectifier-company-54.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH8318TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für synchrone Abwärtswandleranwendungen mit hoher Frequenz entwickelt wurde.