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IRFH8330TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH8330TRPBF product

IRFH8330TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VPQFN

Der IRFH8330TRPBF ist ein 30V N-Kanal HEXFET-MOSFET, der für Hochfrequenz-Abwärtswandler optimiert ist und einen niedrigen RDS(on) in einem kompakten PQFN 5x6mm Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Abwärtswandler
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V VDS

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
25 A
RDS(on)
6,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

International-Rectifier-company-54.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH8330TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET für Hochfrequenz-Abwärtswandler.