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IRFH8334TRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFH8334TRPBF product

IRFH8334TRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VInfineon

Der IRFH8334TRPBF ist ein 30V N-Kanal-MOSFET, der für Hochfrequenz-Abwärtswandler optimiert ist und eine niedrige RDS(on) sowie effiziente thermische Leistung in einem kompakten PQFN 5x6mm-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Abwärtswandler
  • Energiemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >30V VDS
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen 5x6mm zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
RDS(on) @ 10V
9,0 mΩ
ID @ 25°C
25 A
Qg
7,1 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Abwärtswandler

Datenblatt

International-Rectifier-company-54.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFH8334TRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der speziell für Hochfrequenz-Abwärtswandler entwickelt wurde.