ProjektePreiseInsights

IRFHM8329PBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFHM8329PBF-HXY product

IRFHM8329PBF-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der IRFHM8329PBF ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
60 A
RDS(on)
5,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

61f562b3fe036a32693fd6a32d00bebf_2404231719_HXY-MOSFET-IRFHM8329PBF-HXY_C22366843.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFHM8329PBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Anwendungen mit niedrigem RDS(ON) und niedriger Gate-Ladung entwickelt wurde.