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IRFHM9331TRPBF-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFHM9331TRPBF-HXY product

IRFHM9331TRPBF-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der IRFHM9331TRPBF ist ein P-Kanal-MOSFET mit -30V und -35A im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • High-Side-Schalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Systeme mit Spannungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-35 A
RDS(ON)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

3f9ce7f35cb7420c210e1caa59082e59_2401231634_HXY-MOSFET-IRFHM9331TRPBF-HXY_C20606280.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFHM9331TRPBF-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstromanwendungen, der sich durch eine niedrige Gate-Ladung und fortschrittliche Trench-Technologie auszeichnet.