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IRFM120ATF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFM120ATF product

IRFM120ATF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-223

Der IRFM120ATF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 100V und 2,3A im SOT-223-Gehäuse.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • IEEE802.3af-kompatible Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die 2,3A Dauerstrom oder 100V Drain-Source-Spannung überschreiten.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Pad-Größe für die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
100 V
Dauerstrom
2,3 A
Einschaltwiderstand
0,2 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

SEPA-S-A0003065679-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFM120ATF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauerstrom von 2,3A.