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IRFP150NPBF KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

IRFP150NPBF product

IRFP150NPBF

FETs

N-Kanal-MOSFET100 V42 ATO-247S19 mΩ typischer RDS(on)

Der IRFP150NPBF von OSEN ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-247S-Gehäuse für Schaltanwendungen bis 100 V. Angegeben sind 42 A Dauerstrom sowie maximal 23 mΩ RDS(on) bei VGS = 10 V.

Ideal für

  • Leistungsstufen von Schaltnetzteilen
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Schaltungen für elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 100 V Drain-Source-Belastung
  • Aufbauten ohne ausreichende Kühlung oder Begrenzung von Spannungsspitzen

Vor der Verwendung prüfen

  • RDS(on) bei der tatsächlich verfügbaren Gatespannung bewerten
  • Sperrschichttemperatur im ungünstigsten Betriebspunkt berechnen
  • Mechanik und Isolationsabstände für TO-247S prüfen

Wichtige Specs

Drain-Source-Sperrspannung
100 V
Kontinuierlicher Drainstrom
42 A
Einschaltwiderstand
19 mΩ typ., 23 mΩ max.
Gehäuse
TO-247S

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

SchaltnetzteileLeistungsfaktorkorrekturElektronische Vorschaltgeräte

Datenblatt

b66eb9c70eeaa12775a02edcae9f4a3f_2304140030_Infineon-Technologies-IRFP150NPBF_C212023.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
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PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
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3D Model
STEP file for mechanical design
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Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRFP150NPBF ist ein N-Kanal-MOSFET von OSEN mit 100 V Sperrspannung. Er wird im dreipoligen TO-247S-Durchsteckgehäuse geliefert.