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IRFP450PBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IRFP450PBF product

IRFP450PBF

MOSFETs - Single

N-Kanal-MOSFET500 V14 ATO-247SLeistungsschalter

Der IRFP450PBF ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 500 V im TO-247S-Gehäuse. Bei Tc=25 °C ist ein kontinuierlicher Drainstrom von 14 A angegeben.

Ideal für

  • Hochvolt-Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Schaltungen mit zwingend garantiertem niedrigem maximalem RDS(on)
  • Aufbauten ohne ausreichende Wärmeabfuhr

Vor der Verwendung prüfen

  • Maximaler Wärmewiderstand Sperrschicht zu Gehäuse: 0,71 °C/W
  • Die Gate-Source-Spannung darf ±30 V nicht überschreiten
  • Die Schaltzeiten unter realem Gate-Widerstand und Laststrom prüfen

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
500 V
Kontinuierlicher Drainstrom
14 A bei Tc=25 °C
Einschaltwiderstand
0,35 Ω typisch bei VGS=10 V, ID=7 A
Gehäuse
TO-247S, 3 Anschlüsse

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

SchaltnetzteileLeistungsfaktorkorrekturElektronische Vorschaltgeräte

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IRFP450PBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der IRFP450PBF von OSEN ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 500 V Drain-Source-Spannungsfestigkeit. Er verwendet ein TO-247S-Gehäuse mit drei Anschlüssen für Gate, Drain und Source.